Sn1-xNxO2材料光电性质的研究

• 作者: 冯现徉 张国莲 张昌文 王培吉 逯瑶
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶胞SnO2 光电性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 1623-1627
• 分类号: O472
• 字数: 3068字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理,采用广义梯度近似(GGA)下的线性缀加平 面波(FP-LAPW)方法,应用WIEN2K软件计算了超晶胞结构Sn1-xNxO2材料的总态密度、能带结构和光学折射率及介电函数虚部.计算结果表明掺杂后费米能级向低能方向移动,随着掺杂量的增加,Sn1-xNxO2材料的价带和导带的分裂程度增强,禁带宽度逐渐减小,并且在1.35～ 2.50 eV的能量范围上形成了杂质带,其主要来源是N的2p态上的电子.分析Sn1-xNxO2材料的能带结构可知掺杂前后均是直接跃迁半导体,掺杂后其介电函数谱和折射率也与带隙相对应地发生红移,介电谱的跃迁峰与电子从价带到导带的跃迁有关,从理论上指出光学性质与电子结构之间的内在关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王培吉	济南大学物理学院	55	321	11.0	13.0
2	张昌文	济南大学物理学院	16	124	8.0	11.0
3	冯现徉	济南大学物理学院	9	77	6.0	8.0
4	逯瑶	济南大学物理学院	11	84	7.0	9.0
5	张国莲	济南大学物理学院	9	73	6.0	8.0