局部双轴应变SiGe材料的生长与表征

• 作者: 全冯溪 李竞春 杨洪东 杨阳
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 双轴应变SiGe 局部外延 应变度 位错
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 无线电电子学、电信技术
• 页码范围: 1048-1051
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2011.06.014

摘要

利用分子束外延(MBE)对双轴应变SiGe局部区域外延生长和表征进行了研究.图形窗口边界采用多晶Si侧墙,多层SiGe薄膜分段温度生长.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和位错密度测试等多种实验技术,结果表明:薄膜表面窗口内双轴应变SiGe薄膜厚度和Ge组分得到精确控制,垂直应变度达到1.175％,其表面粗糙度为0.45 nm,SiGe位错密度为1.2×103 cm-2.由于采用多晶Si侧墙,外延材料表面没有发现窗口边缘处明显位错堆积.实验证实,采用该技术生长的局部双轴应变SiGe薄膜质量良好,基本满足SiGe BiCMOS器件制备要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李竞春		26	81	5.0	6.0
2	杨洪东		8	20	3.0	4.0
3	杨阳		14	11	2.0	3.0
4	全冯溪		3	0	0.0	0.0