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摘要:
设计了一款应用于亚微米工艺的传输只读存储器的编程高压的单阈值开关电荷泵。随着亚微米和深亚微米工艺的应用,N+/PWELL结反向击穿电压和栅氧击穿电压都明显降低,用于只读存储器传送编程电压的两阈值开关电荷泵应用存在着极大的风险。单阈值开关电荷泵能实现内部高压结点只高于编程一个阈值电压,使开关电荷泵在传送高压时能安全工作。电路在TSMC0.35μm工艺得到仿真验证。
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内容分析
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文献信息
篇名 一种低压开关电荷泵的设计
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 单阈值 电荷泵 只读存储器
年,卷(期) 2011,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 15-17
页数 3页 分类号 TN624
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 袁蕊林 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 10 3 1.0 1.0
2 刘维 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 9 11 2.0 3.0
3 罗前 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 10 7 2.0 2.0
4 黄晨 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 7 4 1.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
单阈值
电荷泵
只读存储器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
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