闪存阵列的数据存储与无效块管理方法

• 作者: 吴黎慧 张丕状 张娟娟 蒲南江
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 闪速存储器 无效块管理 有效块地址
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 641-645
• 分类号: TN98
• 字数: 3521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2011.06.012

摘要

针对单片闪速存储器NAND FLASH容量相对小、存储速度相对低且存在随机无效块等问题,提出一种由单片NAND FLASH构建大容量高速存储阵列并根据阵列的结构特点管理无效块的方法.深入分析阵列存储方式及位扩展、时分多路复用等关键技术,针对复杂的阵列组成提出四种无效块管理机制:全相关、全独立、行相关、列相关等.各相关模块独立建立无效块标识区,统一管理本相关模块的无效块,保证存储过程中CPU能快速定位到有效块地址值.最后通过实验验证了系统的存储容量和存储速度均达到预期目标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丕状	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	79	350	10.0	13.0
2	张娟娟	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	12	35	4.0	5.0
3	吴黎慧	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	16	79	6.0	8.0
4	蒲南江	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	19	93	6.0	8.0