涂硼电离室中子探测效率和灵敏度

• 作者: 方美华 辛勇 陈国云 魏志勇 黄三玻 黄国庆
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 涂硼电离室 灵敏度 探测效率 中子
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 技支及应用
• 页码范围: 244-249
• 分类号: TL811.1
• 语种: 中文

摘要

从电离室工作原理导出了平板型涂硼中子电离室探测效率及灵敏度的计算公式,并求得其热中子探测效率和灵敏度.电离室对热中子探测效率饱和值为1.35%,灵敏度饱和值为9.65×10-14A·cm-2·s-1,与已有公式所得结果8.43×10-14A·cm-2·s-1相近.α粒子和Li离子对探测效率的贡献相差不大,但α粒子对灵敏度的贡献占主导地位.适当的硼膜厚度、慢化快中子、选用浓缩硼均有利于提高涂硼电离室探测效率和灵敏度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏志勇		35	211	8.0	12.0
2	陈国云	南昌大学物理系	11	92	6.0	9.0
4	黄三玻		5	40	4.0	5.0
5	方美华		37	162	7.0	11.0
6	辛勇	南昌大学物理系	186	1282	15.0	26.0
9	黄国庆	南昌大学物理系	11	64	5.0	7.0