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摘要:
采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体.对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析.采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能.吸收光谱测试观察到了Cr2+(3d4)取代四面体配位Zn2的5T2→5E能级的跃迁在1800nm的吸收带.77 K低温的光致发光光谱表明Cr∶ ZnSe晶体具有中心波长位于2.2 μm的宽谱带发射特征.
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文献信息
篇名 ZnSe和Cr∶ ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 ZnSe Cr∶ZnSe 温度梯度法(TGT) 中红外
年,卷(期) 2011,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 848-852
页数 分类号 O782
字数 2610字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许毅 中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室 14 109 5.0 10.0
2 董永军 中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室 21 226 10.0 14.0
3 李琳 郑州大学物理工程学院 84 343 9.0 15.0
4 冷雨欣 中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室 25 127 7.0 11.0
5 张迎九 郑州大学物理工程学院 25 97 6.0 8.0
6 宋平新 郑州大学物理工程学院 12 21 2.0 4.0
7 张浩 郑州大学物理工程学院 41 91 6.0 7.0
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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