离子注入诱导硅材料发光的研究进展

• 作者: 杨宇 王茺 韦冬
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 离子注入 发光 退火
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 11-15
• 分类号: TB3
• 字数: 5450字
• 语种: 中文

摘要

阐述了采用离子注入技术在硅晶体(Si)中形成缺陷的发光机制,综述了离子注入诱导硅材料发光的研究进展,包括稀土离子掺入硅晶体形成稀土杂质中心发光,Ⅳ族元素C、Ge离子注入Si/SiO<,2>形成等离子缺陷中心发光,以及B、S、P等常规离子注入硅晶体的缺陷发光,其中重点介绍了Si离子自注入诱导硅材料发光的研究现状,最后展望了硅基材料发光的未来发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	韦冬	云南大学光电信息材料研究所	4	3	1.0	1.0