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摘要:
利用红外光学材料ZnSe和金属Ag在室温下采用电子束蒸发镀膜技术研制了透明导电薄膜ZnSe/Ag/ZnSe,该薄膜的电子浓度为1.208×1020cm-3,电子迁移率和电阻率分别为17.22 cm2 V1s-1和2.867×10-5Ω·cm,功函数达到5.13 eV,在可见区的平均透过率理论模拟值超过80%,而测量结果为63.8%,测量的最高透过率为83%.结果表明,该透明导电薄膜具有良好的光学和电学性能,可作为透明电极应用于发光二极管等光电子器件中.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 基于ZnSe/Ag/ZnSe可见区透明导电薄膜
来源期刊 光子学报 学科 物理学
关键词 透明导电薄膜 ZnSe Ag 功函数
年,卷(期) 2011,(6) 所属期刊栏目 薄膜光学
研究方向 页码范围 857-859
页数 分类号 O484.1
字数 1816字 语种 中文
DOI 10.3788/gzxb20114006.0857
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘星元 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 16 126 7.0 11.0
2 宋春燕 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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透明导电薄膜
ZnSe
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功函数
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光子学报
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1004-4213
61-1235/O4
大16开
西安市长安区新型工业园信息大道17号47分箱
52-105
1972
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