0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应

• 作者: 刘张李 宁冰旭 张正选 毕大炜 胡志远 邵华 邹世昌 陈明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 MOSFET
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 489-493
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

对0.18μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（MOSFET）器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应.通过在隔离氧化物中引入等效陷阱电荷,三维模拟结果与实验结果符合很好.深亚微米器件栅氧化层对总剂量辐照不敏感,浅沟槽隔离氧化物是导致器件性能退化的主要因素.