氢稀释对纳米晶硅薄膜微结构的影响

• 作者: 于威 傅广生 卢海江 孟令海 王新占 路万兵 韩理
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶硅薄膜 电感耦合等离子体 晶态比 氢稀释比
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 524-527
• 分类号: TN304
• 字数: 3673字
• 语种: 中文

摘要

采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术制备了氮化纳米硅薄膜,利用Raman散射、x射线衍射、红外吸收等技术对不同氮稀释条件下薄膜的微观结构和键合特性变化进行了研究.结果表明,较高的氢稀释比导致薄膜从非晶硅到纳米晶硅的结构转化,随着氮稀释比的增加,所沉积薄膜的晶化度及纳米晶硅的晶粒尺寸单调增加,纳米硅颗粒呈现在(110)方向的择优生长趋势.键合特性分析显示,随氢稀释比增加,薄膜中整体健合氮含量减小,而SiH2 健合比例呈现显著增加趋势,该结果反映了氮原子刻蚀和纳米硅界面面积比的同时增强.光学吸收谱分析表明,通过改变反应气体的氢稀释比,可实现从1.72^-1.84eV光学带隙可调的纳米硅薄膜制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩理	河北大学物理科学与技术学院	39	204	8.0	11.0
2	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
3	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
4	路万兵	河北大学物理科学与技术学院	17	86	6.0	9.0
5	王新占	河北大学物理科学与技术学院	4	8	1.0	2.0
6	孟令海	河北大学物理科学与技术学院	4	11	2.0	3.0
7	卢海江	河北大学物理科学与技术学院	2	7	1.0	2.0