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In situ nanoscale refinement by highly controllable etching of the(111)silicon crystal plane and its influence on the enhanced electrical property of a silicon nanowire
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摘要：
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半导体学报(英文版)
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
开本：
大16开
出版地：
北京912信箱
邮发代号：
2-184
创刊时间：
1980
语种：
eng
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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总被引数（次）
35317
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