硅中90度部分位错双周期结构的运动特性

• 作者: 孟庆元 王振清 王超营
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅 90度部分位错 运动特性 分子模拟
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 1043-1047
• 分类号: O77+2
• 字数: 3122字
• 语种: 中文

摘要

利用基于紧束缚势(TB)的分子模拟方法研究了硅中90度部分位错双周期(DP)结构的运动特性.详尽描述了该结构的左弯结和右弯结在一个周期内的运动过程.利用共轭梯度(conjugate gradients:CG)法计算得到了DP结构中左、右弯结的形成能.另外,在弯结运动过程的基础上,利用NEB(nudged elastic band)方法计算出了左、右弯结在一个运动周期内的迁移势垒,并且发现Si中90度部分位错的运动主要受弯结迁移势垒的控制.最后,根据位错运动的活化能理论分别得到了决定90度部分位错运动的长位错段和短位错段的活化能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王振清	哈尔滨工程大学工程力学系	101	711	15.0	20.0
2	孟庆元	哈尔滨工业大学航天科学与力学系	21	87	6.0	7.0
3	王超营	哈尔滨工程大学工程力学系	6	18	3.0	4.0