氮化镓的合成制备及前景分析

• 作者: 张渊泽 童寒轩 胡慧明 郑方庆 郑晋洁 马剑华
• 来源期刊: 辽宁化工
• 关键词: 氮化镓 薄膜 纳米结构 制备
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 专论与综述
• 页码范围: 1201-1203,1206
• 分类号: TQ133.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-0935.2011.11.031

摘要

氮化镓作为第三代半导体的代表,具有优越的电学性能.氮化镓的合成制备,对全球半导体产业的发展具有重要意义,目前已经成为世界的研究热点.本文对氮化镓薄膜以及纳米氮化镓的合成制备方法进行了综述,并对各种合成方法的优缺点以及氮化镓的应用前景作了简要分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马剑华		17	95	6.0	9.0
2	童寒轩	温州大学瓯江学院	2	6	1.0	2.0
3	胡慧明	温州大学瓯江学院	1	6	1.0	1.0
4	郑方庆	温州大学瓯江学院	1	6	1.0	1.0
5	郑晋洁	温州大学瓯江学院	1	6	1.0	1.0
6	张渊泽	温州大学瓯江学院	1	6	1.0	1.0