CMOS低噪声放大器Miller效应分析与噪声优化

• 作者: 周金芳 陈抗生 陈李佳 黄晓华
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 低噪声放大器 Miller效应 功耗约束 噪声优化
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 无线电电子学、计算机技术
• 页码范围: 424-428
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2011.03.004

摘要

根据反馈分解理论将晶体管栅漏电容分解等效到放大器输入输出两端,研究了栅漏电容对低噪声放大器(LNA)输入阻抗和噪声系数的影响.基于分析结果对阻抗及噪声公式进行了修正,提出功耗约束条件下的LNA噪声优化方法.设计的2.4 GHz LNA基于中芯国际(SMIC)0.18μm RF CMOS工艺,版图后仿结果表明:在1.2 V的工作电压下,该低噪声放大器直流功耗仅为2.4 mW,噪声系数为1.0 dB,功率增益为16.3 dB,输入输出反射损耗均小于-22 dB,三阶互调点IIP3为-3.2 dBm.相比已有的设计,根据修正公式设计的LNA在功耗、输入阻抗匹配、噪声系数等性能指标上有较大的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈抗生		111	1373	20.0	32.0
2	周金芳		18	74	5.0	8.0
3	黄晓华		2	3	1.0	1.0
4	陈李佳		1	0	0.0	0.0