基于不同VTH值的新型CMOS电压基准

• 作者: 崔智军 王庆春
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CMOS 温度补偿 阈值电压 放大器 BJT
• 年，卷（期）: 2011,（14）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 141-143,147
• 分类号: TN710-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.14.043

摘要

传统基准电路主要采用带陈基准方案,利用二级管PN结其有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的VBE电压得出具有零温度系数的基准.针对BJT不能与标准的CMOS工艺兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VT,和VTHP具有相同方向但不同数童的温度系数,设计了一种基于不同VTH位的断型CMOS基准.该电路具有没有放大器、没有BJT、结构简单等特点,适宜于标准CMOS工艺集成.在此给出了详细的原理分析和电路实现.该电路通过HSpice验证,其输出基准电压为1.22V,在-40～+85℃内温度系数仅为30 ppm/℃,电源电压为2.6～5.5 V时,电源电压调整率为1.996 mV/V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆春		20	72	5.0	8.0
2	崔智军		23	76	5.0	7.0