小尺寸NMOS和PMOS SEU敏感性对比分析

• 作者: 师谦 汪俊 王祥傲
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子翻转 线能量传输 阱内碰撞 阱外碰撞
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 通用测试
• 页码范围: 14-16
• 分类号: TN386
• 字数: 3059字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2011.02.005

摘要

使用软件模拟的方法对NMOS和PMOS的单粒子翻转(SEU)特性进行份真,通过在阱内外碰撞的两种情况下对小尺寸NMOS和PMOS的SEU敏感性进行对比可知,对于深亚微米阶段相同工艺的器件,在阱外碰撞时,NMOS一定比PMOS对SEU敏感;但对于阱内碰撞,NMOS和PMOS对SEU的敏感性要视具体情况而定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	师谦		11	64	5.0	8.0
2	王祥傲	滁州学院电子信息工程系	25	33	3.0	4.0
3	汪俊	滁州学院电子信息工程系	11	12	2.0	3.0