薄膜SOI上SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容改进模型

• 作者: 张鹤鸣 徐小波 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 耗尽电容 SiGe HBT SOI
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 730-734
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

文章研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管集电结耗尽电荷和电容.根据器件实际工作情况,基于课题组前面的工作,对耗尽电荷和电容模型进行扩展和优化.研究结果表明,耗尽电荷模型具有更好的光滑性;耗尽电容模型为纵向耗尽与横向耗尽电容的串联,考虑了不同电流流动面积,与常规器件相比,SOI器件全耗尽工作模式下表现出更小的集电结耗尽电容,因此更大的正向Early电压;在纵向工作模式到横向工作模式转变的电压偏置点,耗尽电荷和电容的变化趋势发生改变.SOI薄膜上纵向SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容模型的建立和扩展为毫米波SOI BiCMOS工艺中双极器件核心参数如Early电压、特征频率等的设计提供了有价值的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	徐小波	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	6	23	3.0	4.0