北京落木源精耕高压IGBT驱动技术

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 驱动技术 高压 功率半导体技术 北京 制造技术 性价比
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 18
• 页数: 1页
• 分类号: TN322.8

摘要

随着功率半导体技术的发展,IGBT的耐压等级已经从1200V、1700V发展到了3300V、4500V乃至6500V。目前,高压IGBT制造技术在国际上已比较成熟,但高端技术仍由国外垄断,产品性价比不高,国内应用尚处起步阶段。