CuInS2薄膜的制备及光学特性

• 作者: 李健 王延来 谢俊叶
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 真空共蒸发 CuInS2薄膜 热处理 光学特性
• 年，卷（期）: 2011,（z1）
• 页码范围: 129-132
• 分类号: O484.1|O484.4+1
• 字数: 3912字
• 语种: 中文

摘要

真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜.研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比x选择极为重要(实验选0.2≤x≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1:0.1:1.2.用x(Cu).x(In):x(S)=1:0.1:1.2原子比混合沉积的薄膜,经400℃热处理20min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜,沿[112]晶向择优生长,平均晶粒尺寸为38.06nm;薄膜表面致密平整,厚度为454.8nm,表面粗糙度为13nm;薄膜中元素的化学计量比为1:0.9:1.5,光学吸收系数达105cm-1,直接光学带隙1.42eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李健	内蒙古大学物理科学与技术学院	36	200	7.0	12.0
5	王延来	内蒙古大学物理科学与技术学院	3	4	2.0	2.0
7	谢俊叶	内蒙古大学物理科学与技术学院	2	10	2.0	2.0