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摘要:
本文介绍了普尔世MOSFET技术冗余模块产品的技术特点,以及与传统冗余模块的性能对比,并对其功率损耗做了分析。
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文献信息
篇名 电压降仅为50mV的MOSFET冗余模块YR80.241
来源期刊 电源世界 学科 工学
关键词 冗余模块 功率损耗 二极管
年,卷(期) 2011,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 33-35
页数 3页 分类号 TP303.3
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研究主题发展历程
节点文献
冗余模块
功率损耗
二极管
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源世界
双月刊
1561-0349
大16开
北京市团结湖北路2号
1998
chi
出版文献量(篇)
8016
总下载数(次)
25
总被引数(次)
6309
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