钼、钨四重键化合物电子光谱的含时密度泛函理论研究

• 作者: 仇毅翔 王曙光
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 金属四重键化合物 含时密度泛函理论 电子光谱 d-d跃迁 电荷转移跃迁
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 161-169
• 分类号: O641
• 字数: 5183字
• 语种: 中文

摘要

运用含时密度泛函理论(TD-DFT),对具有代表性的钼、钨四重键化合物M2Cl4-8,M2Cl4(PMe3)4,M2(O2CCH3)4和M2(PhNCHNPh)4(M=Mo,W)的低占据电子激发能进行了计算,系统地考察了局域(LDA)、离域(GGA)和杂化(Hybrid)泛函对金属四重键化合物中d-d跃迁和电荷转移跃迁(CT)计算的适用性.研究结果表明,LDA和GGA泛函对d-d跃迁激发能计算的较为准确,但对CT跃迁激发能的计算误差较大.出现这种情况的因为在于CT跃迁具有显著的离域特征,采用不含时泛函(LDA或GGA)代替含时泛函后未能对电子在CT跃迁中的长程行为给予正确的描述.包含HF交换项的杂化泛函可以对CT跃迁激发能给予一定的修正,但却降低了d-d跃迁激发能的计算准确性.如果对两种跃迁同时进行严格而准确的描述,则需将准确的含时泛函应用于含时密度泛函理论的计算中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王曙光	上海交通大学化学化工学院	18	63	4.0	7.0
2	仇毅翔	上海交通大学化学化工学院	14	19	3.0	4.0