N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展

• 作者: 孔春阳 孟祥丹 李万俊 杨天勇 梁薇薇 秦国平 赵永红 阮海波
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: p型ZnO薄膜 N-X共掺 稳定性
• 年，卷（期）: 2011,（23）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 49-54
• 分类号: TG14
• 字数: 4048字
• 语种: 中文

摘要

获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键.目前,国际上公认V族元素中的N替代O位(No)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径.但p-ZnO:N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足.大量的理论和实验研究表明N基二元共掺( N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜.为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状.