高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究

• 作者: 周勇波 张进成 张金风 王平亚 薛军帅 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAlN/GaN 脉冲金属有机物化学气相淀积 二维电子气 迁移率
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 603-608
• 分类号: TN325.3
• 语种: 中文

摘要

文章基于蓝宝石衬底采用脉冲金属有机物化学气相淀积（MOCVD）法生长的高迁移率InAlN/GaN材料,其霍尔迁移率在室温和77K下分别达到949和2032cm2/Vs,材料中形成了二维电子气（2DEG）.进一步引入1.2nm的AlN界面插入层形成InAlN/AlN/GaN结构,则霍尔迁移率在室温和77K下分别上升到1437和5308cm2/Vs.分析样品的X射线衍射、原子力显微镜测试结果以及脉冲MOCVD生长方法的特点,发现InAlN/GaN材料的结晶质量较高,与GaN晶格匹配的InAlN材料具有平滑的表面和界面.InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料形成高迁移率特性的主要原因归结为形成了密度相对较低（1.6×1013—1.8×1013cm-2）的2DEG,高质量的InAlN晶体降低了组分不均匀分布引起的合金无序散射,以及2DEG所在界面的粗糙度较小,削弱了界面粗糙度散射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王平亚	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0
2	张金风	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0
3	薛军帅	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0
4	周勇波	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0
5	张进成	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0