偶氮苯介晶基元取向方式对其取向稳定性影响

• 作者: 刘剑 王明乐 田晶晶 董明灵 高刘德
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 偶氮苯 液晶聚合物 取向 稳定性
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 光学材料
• 页码范围: 902-906
• 分类号: O436
• 字数: 2940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20114006.0902

摘要

根据取向透射率变化研究了偶氮苯侧链液晶聚合物在不同光照功率条件下的取向,用锥光干涉法表征了侧链介晶基元的取向方向,并研究了升温对取向膜的稳定性影响.实验结果表明介晶基元的取向速度和取向度都随光照时间和光照功率增加而增加；超过一定阈值功率(20 mW/cm2)时,随着光照时间延长薄膜的透射率(取向度)反而降低.高功率光照使侧链介晶基元发生了面内和面外两种取向,面外取向使聚合物膜的透射率降低.面外倾斜取向的介晶基元不稳定,在取向未达到饱和时停止光照,倾斜取向的介晶基元容易发生解取向,而面内取向的介晶基元则能维持取向的状态.用不饱和取向的方法,在光照功率为20 mW/cm2时,取向时间缩短为饱和取向的1/20,薄膜的取向度提高1.3倍.4 ms的一次曝光足以使聚合物膜产生可读出、稳定的面内取向,取向的结果能保持2年不发生变化.