GeTe和GeSe分子在外电场下的特性研究

• 作者: 万明杰 王藩侯 程晓洪 蒋刚 黄多辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: GeTe GeSe 外电场 激发态
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 124-131
• 分类号: O614.353
• 语种: 中文

摘要

对Ge原子采用6-311＋＋G＊＊基函数,Te和Se原子采用SDB-cc-pVTZ基函数,利用密度泛函理论的局域自旋密度近似方法优化得到了GeTe和GeSe分子的稳定构型,并计算了外电场作用下GeTe和GeSe基态分子的平衡核间距、总能量、最高已占据分子轨道能量EH、最低未占分子轨道能量EL、能隙、谐振频率和红外谱强度.在上述计算的基础上利用单激发组态相互作用-局域自旋密度近似方法研究了GeTe和GeSe分子在外电场下的激发特性.结果表明：随着正向电场强度的增大,分子核间距逐渐增大,分子总能量逐渐降低,谐振频率逐渐减小,红外谱强度则逐渐增大.在0—2.0569×1010V·m-1的电场范围内,GeTe分子的EH均高于GeSe分子的EH;随着正向电场的增大,GeTe与GeSe的EH差逐渐变大,GeTe的EL低于GeSe的EL,它们的EL均随正向电场的增大而增大.无外场时,GeTe分子的能隙比GeSe分子的能隙要小;在外电场反向增大的过程中,GeTe和GeSe的分子能隙始终减小.外电场的大小和方向对GeTe和GeSe分子的激发能、振子强度及跃迁的波长均有较大影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋刚	四川大学原子与分子物理研究所	148	618	12.0	18.0
2	程晓洪	宜宾学院计算物理实验室	49	90	4.0	7.0
3	万明杰	四川大学原子与分子物理研究所	8	15	2.0	3.0
4	王藩侯	宜宾学院计算物理实验室	32	111	5.0	9.0