GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法

• 作者: 余菲 金雷
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学器件 GaN 白光LED 发光二极管 老化 寿命
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 190-194
• 页数: 5页
• 分类号: O436
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201138.0806001

摘要

GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用.寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题.为了研究GaN发光二极管的老化过程,计算了GaN发光二极管物理参数,分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加的老化原理,并且针对该原理的老化过程进行物理原理的分析推导,进而建立了老化数学模型.同时,利用一组实际的GaN发光二极管大应力老化实验的数据进行计算,提出了利用该数学模型的GaN发光二极管寿命的测试方法和数学计算方法,并计算出实验GaN发光二极管的寿命数值.提出的GaN发光二极管老化数学模型对比传统的阿伦纽斯模型具有针对性强、物理意义明显和寿命预测准等优点,具有很好的实际应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金雷	中国科学院深圳先进技术研究院	15	43	4.0	6.0
2	余菲	中国科学院深圳先进技术研究院	3	8	2.0	2.0