霍尔推进器中磁化二次电子对鞘层特性的影响

• 作者: 卿绍伟 李肸 段萍 鄂鹏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 霍尔推进器 磁鞘 二次电子
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 361-367
• 分类号: O441
• 语种: 中文

摘要

为进一步研究霍尔推进器壁面二次电子发射对推进器性能的影响,采用流体模型数值模拟了二次电子磁化效应的等离子体鞘层特性.得到二次电子磁化鞘层的玻姆判据.讨论了不同的磁场强度和方向、二次电子发射系数以及不同种类等离子体推进器的鞘层结构.结果表明：随器壁二次电子发射系数的增大,鞘层中粒子密度增加,器壁电势升高,鞘层厚度减小;鞘层电势及粒子密度随着磁场强度和方位角的增加而增加;而对于不同种类的等离子体,壁面电势和鞘层厚度也不同.这为霍尔推进器的磁安特性实验提供了理论解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鄂鹏	哈尔滨工业大学电气工程系	13	65	5.0	7.0
2	卿绍伟	哈尔滨工业大学能源科学与工程学院	3	14	2.0	3.0
3	李肸	大连大学物理科学与技术学院	2	11	2.0	2.0