基于0.5μm标准CMOS工艺的新型(∧)负阻器件

• 作者: 于欣 张世林 毛陆虹 谢生 郭维廉 陈燕
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: (∧)型负阻器件 CMOS p型基区层 电流峰谷比 低功耗
• 年，卷（期）: 2011,（36）
• 所属期刊栏目: 快讯
• 页码范围: 3054-3056
• 页数: 3页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/sl1434-011-4900-6

摘要

介绍了一种新型的Ⅰ-Ⅴ特性为A型的负阻器件(negative resistance device,NRT),该器件使用上华0.5 μm标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调用上华工艺库中现有的标准元件模型,而是将一个金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)和一个双极晶体管(bipolar junction transistor,BJT)制作在相同的n阱中,利用p型基区层作为MOSFET的衬底,从而将两个器件合二为一.NRT拥有较低的谷值电流-6.8217 nA和较高的电流峰谷比(peak-to-valley current ratio,PVCR)为3591.器件的峰值电流较小,为-24.4986 μA,意味着较低的功耗.该负阻器件的平均负阻阻值为32 kΩ.不同于近年来的大多数负阻器件,本器件制作于硅材料衬底上而非化合物材料衬底.因而能够与主流CMOS工艺兼容.新型NRT功耗较低,同时能够极大地节省器件数目,减小芯片占用面积,极大地降低了成本费用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹		165	736	12.0	20.0
2	张世林		109	334	8.0	11.0
3	郭维廉		145	419	10.0	12.0
4	陈燕		12	28	3.0	5.0
5	谢生		68	232	7.0	11.0
6	于欣		8	55	4.0	7.0