纳米梁的金硅原电池腐蚀和无损释放技术研究

• 作者: 戴斌 杨恒 陆松涛
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 氢氟酸 原电池腐蚀 HF蒸气腐蚀 纳米梁
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 5-7,10
• 分类号: TG174
• 字数: 2709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2011.02.002

摘要

采用金电极的硅纳米梁在通过HF湿法腐蚀SiO2牺牲层释放结构的时候会发生硅纳米梁被腐蚀现象,消除此效应对于纳米尺度梁制造非常重要:通过电化学工作站测量不同条件下金/硅在HF中的极化曲线和腐蚀电流,从定性和定量研究此腐蚀的原理和影响因素:金硅在HF中形成的原电池效应是此腐蚀的主要原因;改变金硅面积比和改变HF构成可以减缓此腐蚀.设计了一种简单可控的HF蒸气腐蚀装置彻底消除原电池腐蚀效应的影响,并实现了120 nm厚双端固支纳米梁的无损释放.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨恒	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	19	46	4.0	6.0
2	戴斌		1	0	0.0	0.0
6	陆松涛	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	2	1.0	1.0