石墨表面化学气相沉积SiC及C涂层的制备

• 作者: 唐才宇 温广武 王春雨 王鑫宇
• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积(CVD) 石墨基体 C涂层 SiC涂层 显微组织
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 表面工程
• 页码范围: 79-83
• 分类号: TB303
• 语种: 中文

摘要

以C3H8和CH3SiCl3（MTS）为先驱体原料,用化学气相沉积法在石墨基体表面分别制备了C涂层、SiC涂层。采用X射线衍射仪和扫描电镜分析了两种涂层的成分和表面微观形貌,研究了温度和气体流量对涂层微观形貌的影响。结果表明,当C3H8＋N2流量为140 L/h,沉积温度为1300℃时,石墨基体表面可获得致密度较高的C涂层,而且涂层比较平整、均匀,而流量为160 L/h时涂层比较粗糙。当MTS＋H2流量为60 L/h、沉积温度1100℃时在石墨基体表面可以形成致密的SiC涂层,1300℃时生长的SiC晶体形貌发生改变,涂层厚度增加,表面有较多圆形凸起。当MTS-H2气体流量增大可使SiC涂层晶粒尺寸增大,但大流量易产生涂层剥落。采用C和SiC共沉积涂层作过渡层,涂层与石墨基体界面结合增强;SiC涂层与石墨基体之间存在厚度较大的过渡区域,过渡区域平均厚度约2μm。