磁阻式与霍尔式接近开关性能比较

• 作者: 张莹 秦玉伟
• 来源期刊: 河南科学
• 关键词: 接近开关 传感器 磁敏电阻 锑化铟 霍尔效应
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 595-597
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3918.2011.05.025

摘要

介绍了磁阻式接近开关和霍尔式接近开关的工作原理及信号处理电路,并对二者的动态特性进行了测量和分析.实验表明:磁阻式接近开关动态特性优于霍尔式接近开关,该接近开关灵敏度高,稳定性好,且成本低,可替代霍尔式接近开关,用于铁磁性材料检测和控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦玉伟	渭南师范学院物理与电子工程系	42	95	6.0	7.0
2	张莹	渭南师范学院物理与电子工程系	17	63	4.0	7.0