Ce、V共掺杂BiFeO3多铁薄膜及其电性能研究

• 作者: 刘军 刘文秋 李美亚 袁娜 赵兴中
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: BiFeO3 sol-gel技术 离子掺杂 铁电性能 漏电流
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 421-424
• 分类号: O487|O482.41
• 字数: 3368字
• 语种: 中文

摘要

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备出纯BiFeO3(BFO)和Ce、V共掺杂Bi0.97 Ce0.03Fe1-x VxO3 (x=0,0.01,0.02,0.03)(BCFVx)薄膜.结构和形貌测试表明,Ce、V共掺杂使得BFO薄膜发生从菱方结构到伪四方结构的转变,且薄膜晶粒变小.介电性能和漏电流测试表明,Ce、V共掺杂BFO薄膜的介电常数增大,介电损耗和漏电流密度减小.铁电性能测试表明在x=0.01时,BCFV0.01薄膜具有较好矩形度的电滞回线,表现出较好的铁电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵兴中	武汉大学物理科学与技术学院	35	134	6.0	10.0
2	刘军	武汉大学物理科学与技术学院	112	592	11.0	18.0
3	李美亚	武汉大学物理科学与技术学院	29	85	5.0	6.0
4	袁娜	武汉大学物理科学与技术学院	4	8	2.0	2.0
5	刘文秋	武汉大学物理科学与技术学院	3	8	2.0	2.0