GaN真空面电子源光电发射机理研究

• 作者: 乔建良 常本康 徐源 李飙 王晓晖 钱芸生
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 电子源 透射系数 双偶极层
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 583-589
• 分类号: TN203
• 字数: 4472字
• 语种: 中文

摘要

采用Cs源持续、O源断续的交替方法成功激活了GaN光电阴极,原位测试了透射模式下的光谱响应曲线,获得了透射模式下高达13%的量子效率.从一维定态薛定谔方程入手,得到了GaN真空面电子源材料的电子透射系数的表达式.对于一定形状的阴极表面势垒,电子透射系数决定于入射电子能量、表面势垒的高度和宽度.根据具有负电子亲和势（NEA）特性的透射式GaN光电阴极的能带及Cs,O覆盖过程中阴极表面势垒的变化情况,结合双偶极层[GaN（Mg）：Cs]：O-Cs表面模型,分析了GaN真空面电子源材料NEA特性的形成原因.研究表明：Cs,O激活过程中形成的双偶极层对电子逸出起促进作用,双偶极层的形成是材料表面真空能级下降的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱芸生	南京理工大学电子工程与光电技术学院	86	807	13.0	24.0
2	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
3	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
4	徐源	南京理工大学电子工程与光电技术学院	11	23	3.0	4.0
5	李飙	南京理工大学电子工程与光电技术学院	6	37	4.0	6.0