170ps激光脉冲辐照可见光面阵Si-CCD的实验

• 作者: 冯国斌 叶锡生 王立君 蔡跃 陈林柱 马志亮
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 激光辐照 激光损伤 Ps激光脉冲 Si-CCD 阈值
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 457-462
• 分类号: TN249
• 字数: 2617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20111902.0457

摘要

开展了532 nm ps激光辐照面阵Si-CCD的实验研究,建立了532 nm,170 ps激光辐照Si-CCD效应实验测量系统,观察到了各种典型的干扰和损伤效应现象并测量了阈值.对破坏后的CCD器件的微观结构进行了显微观察,并深入分析了各种典型实验现象和电路层面的损伤机理.开展了10 ns和150 f,激光对CCD探测器的辐照效应实验,并对不同脉宽激光与CCD相互作用阈值的关系进行了比较分析.实验结果表明:激光能量密度为10-8～10-3 J/cm2时,会干扰CCD成像;激光能量密度超过10-1J/cm2时,则会出现CCD永久性损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立君	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	21	139	7.0	10.0
2	冯国斌	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	25	96	7.0	9.0
3	叶锡生	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	43	316	9.0	15.0
4	蔡跃	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	4	35	2.0	4.0
5	马志亮	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	6	36	3.0	6.0
6	陈林柱	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	4	30	3.0	4.0