涂层导体用金属基带表面对过渡层成核的机理研究

• 作者: 丁发柱 古宏伟 周微微 张腾 彭星煜 戴少涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 涂层导体 金属基带 超结构 过渡层
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 532-538
• 分类号: TQ316.6
• 语种: 中文

摘要

涂层导体用金属基带的表面状况对在其上制备的过渡层的形貌和取向有很大影响.在Ni单晶、轧制辅助双轴织构基带（RABiTS）Ni和经过硫化处理的Ni基带三种不同衬底上采用磁控溅射法制备了CeO2过渡层.结果表明,在Ni单晶和硫化处理的Ni基带上制备的CeO2薄膜取向较差,而在RABiTSNi上制备的CeO2薄膜完全呈c轴取向,表面平整致密.反射高能电子衍射图显示,RABiTSNi具有的c（2×2）的S超结构对CeO2薄膜的取向生长起到了很重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周微微	中国科学院电工研究所中国科学院应用超导重点实验室	6	23	2.0	4.0
2	戴少涛	中国科学院电工研究所中国科学院应用超导重点实验室	24	263	9.0	16.0
3	张腾	中国科学院电工研究所中国科学院应用超导重点实验室	6	35	2.0	5.0
4	丁发柱	中国科学院电工研究所中国科学院应用超导重点实验室	7	7	2.0	2.0
5	古宏伟	中国科学院电工研究所中国科学院应用超导重点实验室	13	41	4.0	6.0
6	彭星煜	中国科学院电工研究所中国科学院应用超导重点实验室	4	5	1.0	2.0