二维BC2N薄片的结构稳定性和电子性质

• 作者: 吴顺情 朱梓忠 胡春华 高潭华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: BC2N 单层原子薄片 电子结构 从头计算
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 524-531
• 分类号: O641.121
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对二维BC2N薄片的结构稳定性和电子性质进行了系统的研究.计算了BC2N化合物16种可能的二维单层结构.对它们的能带结构分析发现,对称性最高的构型与石墨烯一样是一种半金属,而其他二维结构则为有不同带隙的半导体,其中最稳定的构型是带隙值为1.63eV的直接带隙半导体.对最稳定构型的差分电荷密度分析和Bader分析发现：在最稳定的构型中,C—C键、C—N键、C—B键和B—N键主要以共价键的形式呈现,也具有比较明显的离子性.在应力作用下最稳定构型的单层BC2N的带隙宽度会发生变化,压缩时带隙变宽,而拉伸时带隙变窄,但仍然为直接带隙半导体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴顺情	厦门大学物理系	11	24	3.0	4.0
2	胡春华	厦门大学物理系	1	1	1.0	1.0