CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管

• 作者: 周仁龙 彭俊彪 聂国政
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机场效应晶体管 CuI/Al双层源漏电极 电子转移
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 518-523
• 分类号: TN3
• 语种: 中文

摘要

制备了CuI/Al为源极和漏电极的并五苯基场效应晶体管.相对于纯金属（Al,Au）电极的晶体管,所研制的晶体管的迁移率、阈值电压VT、开关电流比Ion/Ioff等参数都有明显改善.研究发现,在Al电极与并五苯半导体之间引入CuI作为空穴注入层,能够明显降低Al电极与并五苯之间的空穴注入势垒.紫外-可见光谱和X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯和Al向CuI的电子转移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周仁龙	湖南科技大学物理学院	10	55	4.0	7.0