Ag掺杂对Bi2(Te0.95Se0.05)3薄膜热电功率因子的影响

• 作者: 段兴凯 江跃珍
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热电薄膜 掺杂 热电功率因子
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1583-1585
• 分类号: TB910
• 字数: 2149字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2011.12.033

摘要

采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的Ag掺杂Bi2(Te0.95Se0.05)3热电薄膜.利用X射线衍射(XRD)技术对薄膜的物相结构进行表征,采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征.Ag的掺杂浓度为0.2％,热电功率因子提高到16.1μW/(cm·K).Ag掺杂浓度从0.25％增加到0.5％,薄膜为p型半导体,热电功率因子呈减少的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江跃珍	九江学院电子工程学院	17	35	4.0	4.0