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摘要:
采用未经准直能童为5.48MeV的241 Am α粒子,研究了温度在230-300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律.对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱.同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温.度的变化规律.研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小.而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧.而温度降低可以减少提高探测器的能量分辫率.
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文献信息
篇名 探测器级CdZnTe晶体变温特性研究
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 CdZnTe α粒子 脉冲响应光谱 载流子传输 漏电流
年,卷(期) 2011,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 441-443,447
页数 分类号 TN304
字数 1681字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 介万奇 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 272 1636 19.0 27.0
2 王涛 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 100 658 13.0 21.0
3 徐亚东 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 23 70 5.0 7.0
4 傅莉 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 75 535 14.0 20.0
5 查钢强 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 38 93 5.0 7.0
6 何亦辉 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 7 10 2.0 3.0
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CdZnTe
α粒子
脉冲响应光谱
载流子传输
漏电流
研究起点
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研究去脉
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功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
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30
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91048
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