射频溅射ZnO作为GaN厚膜生长缓冲层的工艺研究

• 作者: 张俊玲 徐永宽 杨瑞霞 王如
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO缓冲层 晶格失配 三维岛状生长 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 322-324
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2639字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能.实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	王如	河北工业大学信息工程学院	44	252	8.0	14.0
3	徐永宽		28	57	4.0	6.0
4	张俊玲	天津大学管理与经济学部	1	3	1.0	1.0