用古斯-亨兴位移研究PMN-PT电光陶瓷的电光效应

• 作者: 冉茂武 曹庄琪 陈凡 陈险峰
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 非线性光学 古斯-亨兴位移 光波导 四方相铌镁酸铅-钛酸铅
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 134-137
• 页数: 4页
• 分类号: O437.4|TM286|TN252
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201138.0906001

摘要

根据对称金属包覆电光波导中本征损耗与古斯-亨兴(Goos- H(a)nchen)位移的理论公式,导出了古斯-亨兴位移与作用于波导两侧电压的二次关系公式.用622 μm厚度的四方相铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)透明电光陶瓷片作为导波层制备了对称金属包覆波导,测量了古斯-亨兴位移与作用于波导两侧电压的关系曲线,计算了所用透明电光陶瓷片的二次电光系数.实验结果与理论分析一致.