90nm CMOS工艺下p+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

• 作者: 刘凡宇 刘必慰 刘衡竹 梁斌 陈建军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷共享 单粒子效应 p+深阱掺杂 双极晶体管效应
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 461-468
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文

摘要

基于3维TCAD器件模拟,研究了90 nm CMOS双阱工艺下P+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘衡竹	国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所	19	193	9.0	13.0
2	刘必慰	国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所	17	101	6.0	9.0
3	梁斌	国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所	17	102	6.0	9.0
4	陈建军	国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所	15	50	6.0	6.0
5	刘凡宇	国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所	3	17	2.0	3.0