一种高增益低功耗CMOS LNA设计

• 作者: 卢安栋 唐江波 王宁章 罗婕思
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 低噪声放大器 高增益 输入愉出阻杭匹配
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 175-177
• 分类号: TN710|TN432
• 字数: 2395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2011.04.060

摘要

采用TSMCO.181un CMOS工艺,利用ADS2008软件仿真,设计了一种高增益的CMOS低噪声放大器.与传统的共源共栅结构相比,该电路在晶体管713的栅源极处并入电容C1,以增加系统抗干扰能力;并在级间引入一并联电感和电容与寄生电容谐振,以提高增益.仿真结果表明,在2.4GHz工作频率下,该电路的增益大于20dB,噪声系数小于1dB,工作电压为1.5V,功耗小于5mW,且输入输出阻抗匹配良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宁章	广西大学计算机与电子信息学院	34	162	6.0	11.0
2	卢安栋	广西大学计算机与电子信息学院	3	4	1.0	1.0
3	唐江波	广西大学计算机与电子信息学院	3	4	1.0	1.0
4	罗婕思	广西大学计算机与电子信息学院	3	4	1.0	1.0