硫化温度对CuInS2薄膜微结构和光学性能的影响

• 作者: 刘俊 夏冬林 张兴良 赵修建
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 化学
• 关键词: 磁控溅射 CuInS2 薄膜 硫化 微观结构 光学带隙
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 7-9,19
• 分类号: O6
• 字数: 2567字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜.研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响.采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征.结果表明,Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜,并具有(112)面的择优取向,所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm,光学带隙为1.51eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	刘俊	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	31	262	10.0	15.0
3	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
4	张兴良	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	6	29	3.0	5.0