二氧化钒薄膜的制备及性能表征

• 作者: 张洋 李立珺 赵萍
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 脉冲激光沉积 二氧化钒 薄膜 X射线衍射 电学性质
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 148-150
• 分类号: TN919-34|O782+|O722+.4|O792
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.06.044

摘要

通过激光脉冲沉积法,分别在C-sapphire和R-sapphire衬底上制备了单相二氧化钒(VO2)薄膜.用X射线衍射法表征了不同实验条件下制备的二氧化钒薄膜的结构性质,分析表明在600℃,10-2torr的氧气分压下,生长15 min可得到单相的二氧化钒(VO2)薄膜;重点研究了激光能量对薄膜电学性质的影响,实验结果表明激光能量在500～600 MJ时制备的二氧化钒薄膜具有最好的电学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵萍	西安邮电学院电子工程学院	17	89	6.0	8.0
2	李立珺	西安邮电学院电子工程学院	7	31	4.0	5.0
3	张洋	香港科技大学工学院	1	13	1.0	1.0