H4PMo11VO40掺杂辅助氧化法制备聚苯胺基复合电容材料

• 作者: 宝音 张琳 肖顺华
• 来源期刊: 化工新型材料
• 学科: 工学
• 关键词: 聚苯胺 H4PMo11 VO40 掺杂材料 固相研磨 赝电容
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 46-49
• 分类号: TQ323
• 字数: 3215字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2011.06.014

摘要

以自制的H4PMo11VO40作为质子酸掺杂剂兼辅助氧化剂,配合过硫酸铵氧化剂,采用固相研磨法制备了H4PMo11VO40/聚苯胺复合电容材料.通过X-射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)对产物的结构特征进行表征,证实得到的产物确为掺杂复合材料,且该法所得产物结构有序、晶化率较好.以产物在0.5m1/L H2SO4电解液中的循环伏安曲线为指标,重点考察了H4PMo11VO40与过硫酸铵在氧化聚合苯胺时的最佳配合比例,以期得到电容性能较好的复合材料.结果表明,在苯胺单体、PMo11V与过硫酸铵的物质量比为1:1/3:9/10时,在-0.1～0.7V电位范围内,材料的比电容值最大,电容特性最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖顺华	桂林理工大学化学与生物工程学院	20	24	3.0	4.0
2	张琳	桂林理工大学化学与生物工程学院	23	15	2.0	3.0
3	宝音	桂林理工大学化学与生物工程学院	4	8	1.0	2.0