1200V增强型碳化硅纵向结型场效应晶体管功率模块

• 作者: 李兴鲁 查祎英 胡冬青
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 模块 SIC 栅极驱动 开关损耗 缓冲器
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TN86

摘要

最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关，1200V、13mΩ、增强型SiCJFET半桥模块。这些模块由36mm^2 SiC VJFET和23mm^2肖特基管的并联组合而成。在ID=100A条件下，获得2．7mΩ-cm^2的比导通电阻。开关测试采用了标准的双脉冲感性负载电路，在600V、100A、温度分别为25℃和150℃的条件下，得到了历史最低的总开关损耗——100A、150℃下为1．25mJ。本文详细介绍测试的开关性能、所采用的栅极驱动电路，以及获得这些结果推荐使用的缓冲器。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡冬青		27	114	7.0	9.0
2	李兴鲁		2	4	1.0	2.0
3	查祎英		2	4	1.0	2.0