ZnO的点缺陷结构与P型化转变的研究进展

• 作者: 余花娃 张英堂 成鹏飞
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 p型化 点缺陷
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 22-25
• 分类号: TN304
• 字数: 4764字
• 语种: 中文

摘要

ZnO是一种典型的直带隙宽禁带半导体材料,是下一代光电材料的代表.但由于P型化转变困难,使ZnO在光电领域的应用受到了极大限制.系统分析了ZnO的本征点缺陷结构和P型化转变方面的理论和实验研究成果,认为ZnO的n型电导应起源于本征点缺陷Zn或Vo.通过V族元素实现P型化转变的关键在于其稳定性,因此通过亚稳的点缺陷之间的相互作用实现相对较稳定的p-ZnO是V族元素掺杂实现P型化转变的研究方向.考虑到I族元素在ZnO中的固溶度较高且受主能级较浅,通过I族元素的掺杂实现高电导p-ZnO也是实现P型化转变的思路;但是Ⅰ族元素的掺杂会引起严重的自补偿,因此实现I族元素在ZnO晶格中的定位是Ⅰ族元素掺杂实现P型化转变的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成鹏飞	西安工程大学理学院	31	172	8.0	12.0
2	张英堂	西安工程大学理学院	16	24	3.0	4.0
3	余花娃	西安工程大学理学院	18	39	3.0	5.0