DFT+U方法研究Ni掺杂对CeO2结构和储放氧性能影响

• 作者: 沈美庆 王军 王欣全
• 来源期刊: 科技导报
• 学科: 化学
• 关键词: 氧化铈 过渡金属改性 原子位置扰动 储放氧 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 26-29
• 分类号: O641.12+1
• 字数: 4112字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2011.01.01

摘要

铈基材料具有优异的储放氧性能和催化活性,在当今催化领域有着广泛的应用.本研究通过DFT+U方法计算了Ni掺杂引起的Ce02局域结构及全局结构扰动.并分析了原子位置排布与储放氧性能之间的构效关系.当Ni以间隙位形式进入CeO2晶胞时,Ni具有四面体配位特征,部分氧离子远离其初始位置.向类间隙位移动;在产生氧空位之后,全局结构弛豫现象明显.当Ni以取代位形式进入CeO2晶胞时,Ni具有八面体配位特征,与纯NiO结构类似;在产生氧空位之后,由Ni及其最近邻氧离子构成的局域空间发生扩张.结合氧空位生成能计算结果,间隙位Ni离子对储放氧性能的促进较小,取代位Ni离子可促进体系自发产生氧空位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈美庆	天津大学化工学院绿色合成与转化教育部重点实验室	41	425	13.0	19.0
2	王军	天津大学化工学院绿色合成与转化教育部重点实验室	53	541	14.0	21.0
3	王欣全	天津大学化工学院绿色合成与转化教育部重点实验室	2	14	2.0	2.0