能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善

• 作者: 张万荣 王任卿 肖盈 谢红云 金冬月 陈亮
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT Ge组分 热电反馈 镇流电阻
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 310-315
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文

摘要

众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少.本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGe HBT热性能的影响.考虑到电流增益随温度的变化以及发射结电压负温度系数,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)的表达式,在此基础上给出了非均匀镇流电阻的设计,进一步提高了SiGe HBT的热稳定性.研究发现,随基区Ge组分的增加,芯片表面温度降低,这是SiGe HBT内部产生了热电负反馈效应的结果.在相同的耗散功率下,随着基区Ge组分的增加,器件热稳定所需的镇流电阻减小.这些结果对器件的热学设计具有重要的参考意义,也有利于改善器件的饱和压降、功率增益、频率特性等整体性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	金冬月	北京工业大学电子信息与控制工程学院	49	155	8.0	8.0
3	谢红云	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	215	8.0	9.0
4	陈亮	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	61	5.0	6.0
5	肖盈	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	20	3.0	4.0
6	王任卿	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	18	2.0	4.0